4月7日，記者從山西大學(xué)獲悉，山西大學(xué)激光光譜研究所陳旭遠教授帶領(lǐng)的團隊在三維豎直石墨烯制備及儲能應用領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。

研究成果近日發(fā)表在《ACS Appl. Mater. Interfaces》上。論文第一作者為博士生韓杰敏，通訊作者為馬一飛副教授、王梅教授和陳旭遠教授，論文合作者還包括賈鎖堂教授、肖連團教授。

據介紹，等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝合成的豎直石墨烯集合了石墨烯的固有特性和三維結構帶來(lái)的優(yōu)勢，在儲能領(lǐng)域展示出巨大前景。

然而在前期研究中發(fā)現，豎直石墨烯的實(shí)際應用受到其高度飽和現象的限制，無(wú)法在高能量、高功率的超級電容器上充分發(fā)揮優(yōu)勢。豎直石墨烯高度通常在幾百納米至幾微米，其高度飽和是由于豎直石墨烯片層隨著(zhù)沉積時(shí)間增長(cháng)而聚合，改變了等離子體中鞘層電勢使其分布趨于均勻，導致沉積過(guò)程中的活性粒子分布也趨于均勻，失去了在豎直方向的沉積優(yōu)勢。

陳旭遠團隊開(kāi)發(fā)了一種氧輔助“修正”(OAT)工藝以消除過(guò)密的石墨烯片層，阻止片層隨時(shí)間增長(cháng)而聚集，克服了生長(cháng)過(guò)程中豎直石墨烯厚度飽和的現象。

陳旭遠團隊利用這種方法合成了高達80微米的超高豎直石墨烯，并應用于超級電容器中，獲得了241.35mF cm–2的面積比電容，展現出了優(yōu)越的電化學(xué)性能及儲能能力。值得注意的是，80微米的高度并非該合成技術(shù)所能達到的最大值，通過(guò)氧輔助“修正”工藝可以獲得任意高度的豎直石墨烯。這項工作對于高負載豎直石墨烯的合成具有重要的指導意義。與IC兼容的制造工藝和出色的儲能能力使得OAT豎直石墨烯在集成芯片、器件領(lǐng)域中具有非常大的應用潛力。